8 (495) 255-33-11 8 (800) 77-55-645

Режим работы:

с 10:00 до 18:00

Sales@MirComponents.ru
8 (495) 255-33-11 8 (800) 77-55-645

Новые MOSFET CoolSiC 1200 В в корпусе D2PAK-7L

Дата: 27/01/2021

Компания Infineon представила новую линейку MOSFET 1200 В, изготовленных по технологии CoolSiC. Транзисторы доступны в корпусе D2PAK-7L (TO263-7) в широком диапазоне значений RDS(on) (от 30 до 350 мОм).

В новых MOSFET используется технология соединения кристалла .XT, которая помогает рассеивать на 30% больше тепла через соединение «чип-корпус» по сравнению с  традиционными решениями. Использование технологии .XT позволяет новым транзисторам демонстрировать лучшие в классе тепловые характеристики и повысить уровень выходного тока до 14% по сравнению с аналогичными решениями, что соответствует удвоению частоты переключения или снижению рабочей температуры на 10…15°C.

Новые MOSFET оптимизированы для работы в высоковольтных приложениях и способны выдерживать короткое замыкание в течение 3 мс.

Особенности:

  • Низкие потери на переключение;
  • Устойчивость к короткому замыканию в течение 3 мкс;
  • Технология межсоединений .XT, лучшие в классе тепловые характеристики;
  • Пороговое напряжение включения VGS (th) = 4,5 В, устойчивость к паразитному включению;
  • Корпус D2PAK-7L (TO263-7) с зазором и расстоянием утечки> 6,1 мм.

Области применения:

  • Зарядные устройства;
  • Источники бесперебойного питания (ИБП);
  • Солнечные инверторы;
  • Промышленные импульсные источники питания (SMPS);
  • Системы хранения энергии;
  • Системы управления приводами.

 

Пример использования новых MOSFET CoolSiC 1200 В в схеме управления двигателем

 

Наименование Id @ 100°, А Rds(on) (typ.) @ 25°C, мОм Rds(on) (typ.) @ 150°C, мОм Корпус
IMBG120R030M1H 47 30 38 PG-TO263-7
IMBG120R045M1H 33 45 57 PG-TO263-7
IMBG120R060M1H 26 60 76 PG-TO263-7
IMBG120R090M1H 18 90 114 PG-TO263-7
IMBG120R140M1H 13 140 178 PG-TO263-7
IMBG120R220M1H 9.1 220 280 PG-TO263-7
IMBG120R350M1H 4.7 350 446 PG-TO263-7
Пыщ

Пыщ

Пыщ-пыщ-Пыщ-пыщ

Дата: 04/09/2025

Новая модель от Mini-Circuits: Широкополосный датчик средней и максимальной мощности с частотой дискретизации 80 млн выборок в секунду

Новая модель от Mini-Circuits: Широкополосный датчик средней и максимальной мощности с частотой дискретизации 80 млн выборок в секунду

Датчик мощности PWR-18PWHS-RC от Mini-Circuits предназначен для работы в диапазоне от 0,05 до 18 ГГц при частоте дискретизации 80 млн выборок в секунду, он обеспечивает лучший по отрасли минимальный диапазон измерений

Дата: 18/04/2025

Смотреть все новости

ВАКАНСИИ

Менеджер по продажам электронных компонентов

г. Зеленоград, полная занятость, опыт работы от 2х лет

Смотреть все вакансии

ПОДПИСАТЬСЯ НА НОВОСТИ