Компания Infineon представила новые гибридные IGBT-транзисторы на 650 В, которые сочетают в себе преимущества технологий TRENCHSTOP и CoolSiC.

Использование SiC-диода Шоттки позволяет значительно расширить возможности IGBT и снизить уровень энергии, необходимой для включения транзистора (Eon), а также уменьшить потери на переключение.

Pin-to-pin-совместимость с кремниевыми аналогами позволяет без труда произвести замену транзисторов в уже готовых решениях, увеличив при этом КПД на 0,1% на каждые 10 кГц. К примеру, замена кремниевого IGBT на гибридный CoolSiC IGBT в полумостовом преобразователе, работающем на частоте 23 кГц, позволит повысить КПД примерно на 0,23%.

Особенности:

• Низкие потери на переключение благодаря сочетанию технологий TRENCHSTOP 5 и CoolSiC;
• Высокий КПД;
• Pin-to-pin-совместимость с полностью кремниевыми аналогами;
• Низкое значение прямого напряжения (в том числе при высокой температуре);
• 2 типа корпуса: TO247-3pin и TO-247-4pin.

Области применения:

• Зарядные устройства;
• Сварочные аппараты;
• Системы преобразования солнечной энергии;
• Системы накопления и хранения энергии;
• Источники бесперебойного питания (ИБП);
• Промышленные импульсные источники питания (SMPS).

Пример использования 650 В TRENCHSTOP CoolSiC IGBT